Grofund最近发布了有关7nm工艺的信息,Groffontein表示,与14nm工艺相比,它可以将能耗降低40%或55%。
7nm工艺有两种不同的版本。
根据技术媒体“ZDNet”,在最近的2017年国际电子元件大会(IDEM 2017)上,创始人GlobalFoundries创始人提供了有关7nm工艺的详细信息。
与目前用于AMD处理器,IBM Power服务器芯片和其他产品的14纳米工艺相比,7纳米工艺在密度,性能和效率方面有显着改进。
此外,Groffont声称7nm工艺使用当前的光刻技术。
不过,该公司还计划尽快实现下一代EUV光刻技术,以降低制造成本。
该报告显示,Groffont的最新一代3D晶体管或FinFET在7 nm工艺中具有30 nm的鳍间距(导电沟道之间的色调),56 nm栅极步长和至少40 nm金属你是间隔
此外,可以在7nm工艺中制造的高密度SRAM单元的最小尺寸为零。
0269平方微米。
上面公布的步长在14nm工艺中得到了显着改善。
在这方面,Groffontein说他调整了翅片的形状和轮廓以获得更好的性能。
但是,Grofund拒绝提供有关鳍片宽度和高度的信息。
根据Groffont宣布的尺寸,它不仅类似台积电的7纳米工艺,而且还声称它与其他代工厂具有相同的10纳米工艺水平。
至于三星的另一家代工厂,三星将在2018年初的国际固体电路研讨会(ISSCC 2018)上直接展示使用EUV技术的7nm工艺的细节。
据了解,Grofund提供了两种不同版本的7nm工艺。
其中,用于移动处理器的标准高密度单元配备有两个散热片,仅为240纳米高。
换句话说,与14nm芯片面积相比,芯片在SoC水平下降低了0。
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另一种效率更高,因为它旨在使用具有更大触点和电缆以及四个散热片的高性能服务器芯片(例如IBM Power)。